Намагаючись зберегти конкурентоспроможність на ринку виробництва напівпровідників, Intel розробляє вдосконалену версію своєї майбутньої технології 14A2. Як повідомляє ETNews, новий техпроцес стане еволюцією базового 14A та запровадить революційну систему живлення з обох боків кристала, що дозволить Intel суперечити лідерам галузі TSMC і Samsung.
Енергетичний попит на чипи для штучного інтелекту та обчислювальних систем постійно зростає. Зростаючі обсяги замовлень змушують виробників активніше шукати альтернативи TSMC, і Intel з Samsung отримують все більше уваги від потенційних клієнтів.
Проте Intel необхідно переконливо продемонструвати спроможність своєї контрактної виробничої бази. Критичне значення мають технології 18A-P, 14A та розроблювана 14A2.
Конкурентна гонка на 1,4-нм рубежі
За свідченням інформаційних джерел, Samsung уже значно оптимізував транзистори Gate-All-Around (GAA), тоді як TSMC стабілізував выхід придатних зразків для N2 у 2025–2026 роках. До моменту розгортання Intel 14A у ризикове виробництво конкуренти вже виводитимуть на ринок вироби, виготовлені за 1,4-нм стандартом.
У найближчих роках суперництво трьох найбільших контрактних виробників мікросхем невпинно посилюватиметься:
- TSMC планує почати серійне виробництво A14 вже у наступному році
- Samsung передбачає запустити масове виробництво своєї 1,4-нм технології у 2029 році
- Intel готує 14A як засіб залучення зовнішніх замовників до контрактної виробничої мережі
Інновації в архітектурі 14A2
За змістом ETNews, Intel активно працює над техпроцесом 14A2, який становить кроком уперед від базової версії 14A. Поточна 14A використовує PowerDirect разом із Backside Power Delivery Network (BSPDN) — живлення надходить з зворотного боку мікросхеми. У новій 14A2 компанія переходить до двосторонньої архітектури, що забезпечуватиме подачу живлення одночасно з переднього та зворотного боків кристала.
Зміни також торкаються металевих міжз’єднань M0, які передають сигнали між елементами схеми. Поточна 14A передбачає відстань 28 нм між центрами ліній, тоді як 14A2 скоротить їх до 21 нм. Така мініатюризація дає змогу розмістити більше транзисторів на одиниці площі, підвищуючи щільність компонування та можливу продуктивність.
Застосування подвійного формування додатково зростимуть щільність компонування. Базова 14A вже гарантує близько 30% приросту щільності, а 14A2 мала б цей показник посилити.
Технічні виклики та рішення
Перехід до 21-нм M0 проводить за собою нові інженерні проблеми. Зменшення розмірів провідників підвищує електричний опір, що спричиняє втрати напруги. Ультрамалі наскрізні провідники (nTSV), спочатку розроблені для живлення виключно зі зворотного боку, можуть не забезпечити надійність роботи при такій великій щільності.
Тому Intel розглядає комбіновану енергетичну архітектуру. Основна подача живлення відбуватиметься через BSPDN, частину навантаження приймуть металеві шари переднього боку. Такий гібридний підхід посилить ефективність сучасних High-NA EUV літографічних систем, покращуючи рентабельність їхнього використання.
